Структурная схема мдп транзистора

структурная схема мдп транзистора
Заключение Как следует из статьи, выбор драйвера для коммутации силовых MOSFET или IGBT не является трудной задачей. Наиболее перспективным семейством КМОП микросхем считается семейство SN74AUC с временем задержки сигнала 1,9нс и диапазоном питания 0,8..2,7В.Вернуться к оглавлению. Вони використовуються також у мікросхемах, які входять до складу більшості радіоелектронних приладів: мобільних телефонів, телевізорів, пральних машин, холодильників тощо. Как видно из рис. 2, каждая микросхема рассчитана на соответствующую топологию схемы преобразователя, а так же на определенную мощность конечного устройства.


Первая из них — зона резкого возрастания тока стока. При подаче на вход КМОП микросхемы половины питания открываются транзисторы как в верхнем, так и в нижнем плече выходного каскада микросхемы, в результате микросхема начинает потреблять недопустимо большой ток и может выйти из строя. Проводимость канала может быть как n-, так и p-типа. Транзистори з керуючим p-n переходом[ред. • ред. код] Польовий транзистор з керівним p-n переходом — це польовий транзистор, затвор якого ізольований (тобто відокремлений в електричному відношенні) від каналу p-n переходом, зміщеним у зворотньому напрямку.

Здесь происходит перекрытие канала в области стока, которое увеличивается при дальнейшем росте напряжения исток-сток. Потребление тока происходит только в момент ее переключения из единичного состояния в нулевое и наоборот. Мосфеты с индуцированным каналом ещё называют транзисторами обогащённого типа. Общие параметры полевых транзисторовМаксимальный ток стока при фиксированном напряжении затвор-исток.

Похожие записи: